1/ HBM 底层 DRAM 技术路线分化。 三星、SK 海力士、长鑫推进4F²。 美光跳过4F²，继续优化6F²，未来直接转向3D DRAM。 三星和海力士也在研发 3D，分歧在于是否经过 4F² 这一代。 2/ HBM 升级有两条主线， 一，底层DRAM提高存储密度 二，堆叠与互连提高容量、带宽和能效。这场路线之争主要集中在前者。 4F² 用更复杂的制造工艺，换取更高存储密度。 理论单元面积减少33%，位密度提高50%。 代价是垂直晶体管制造复杂，电容间距限制实际密度收益，良率存在挑战。 美光用成熟 6F² 争取时间，直接押注3D DRAM。风险是 3D DRAM 商业化更远，如果 4F² 率先实现低成本量产，美光可能暂时失去成本优势。 3/ 背景是，美光技术与产品总裁 Scott DeBoer 在电话会上指出，公司已经研究 4F² 技术约20年，并做过多个原型。 最终决定放弃，主要涉及两个问题。 第一个，是制造复杂度与成本。 第二是，美光认为，决定 DRAM 实际存储密度的重要因素是电容间距。 电容不能无限缩小，否则读取信号和数据保持能力都会受到影响。 4F² 理论上的33%面积缩减，很难直接转化为同等幅度的整颗芯片面积下降，更难直接转化为制造成本下降。 4/ 长鑫有个特殊条件，融资能力相对充足。 IPO 净募资663亿元，9月又宣布350亿研发与测试投资计划，主要使用超募资金。 对长鑫而言，持续研发 4F² 有机会换取技术突破和市场份额，其战略价值可能高于短期财务回报。 5/ 至少从 27—28年的盈利兑现看，我更支持美光的路线。 美光预计2027年下半年推出的 1δ 工艺，在保留 6F² 架构的同时，仍能获得约25%的位密度提升。 同时，已经有 HBM4 商业化收入，可以继续投入良率和封装改善。 美光无需承担 4F² 额
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