根据 ASML 确认 英特尔 $INTC 已成功将全球首台High-NA EUV 光刻设备部署到其量产生产线 而三星、台积电还未跟进 英特尔开始量产基于2nm英特尔18A工艺的笔记本电脑CPU 酷睿Ultra系列3（代号Panther Lake）的部分电路层 High-NA EUV 光收集精度高于传统 EUV 能够绘制更薄、更密集的电路 但造价高达4亿美元一台 英特尔采取了最为积极的策略 成为全球首家在2023年订购该设备的厂商 并在成功交付量产后，被视为已进入实际验证阶段 台积电则保持谨慎态度 表示将从1.4纳米工艺开始引入这套设备 而25年台积电仍拒绝购High-NA EUV 认为尽管该设备能够提升1.4nm和1nm晶圆的良率与生产稳定性，但台积电认为其投入成本与实际价值不成正比 三星已经购置了设备，但尚未正式部署 去年率先引进韩国国内首台High-NA EUV后 今年上半年也推出了第二套设备 就设备购置时间而言，三星与英特尔并无显著差异 但目前尚未有官方消息证实该设备是否已投入量产 根据三星内外的消息人士观点 三星电子犹豫采用 High-NA EUV 有两个原因： > 需要尽快扭亏为盈 三星电子的晶圆代工业务自22年以来一直处于亏损状态尽对于一个持续亏损的业务部门而言 急于全面投入高价设备的运营 可能会增加折旧和运营费用等固定成本的负担 既然扭亏为盈指日可待 就没有理由通过不合理的投资再次拖延时间 > 认为这项技术尚未完全成熟 三星电子的2纳米工艺良率已提升至55%左右 接近业内公认的稳定量产所需的60%基准 仅就良率而言 该工艺尚未达到不稳定到需要使用新设备的阶段 对比三星台积电 可以看出陈立武努力实现蛙跳式超越 过去几年陆续将3nm 2nm 制程的生产外包给台积电 集中资金押注 High-NA EUV 希望借由18A 14A 制程技术超越台积
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